单晶体管 FQD10N20CTM_深圳诚思涵科技有限公司

类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	onsemi
系列	QFET?
包装	卷带（TR）
零件状态	停产
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	200 V
25?C 时电流 - 连续漏极 (Id)	7.8A（Tc）
驱动电压（zui大 Rds On，zui小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（zui大值）	360 毫欧 @ 3.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（zui大值）	4V @ 250?A
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（zui大值）	26 nC @ 10 V
Vgs（zui大值）	?30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（zui大值）	510 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（zui大值）	50W（Tc）
工作温度	-55?C ~ 150?C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	TO-252AA
封装/外壳	TO-252-3，DPAK（2 引线 %2B耳片），SC-63
基本产品编号	FQD10N20

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